三极管怎么被击穿的图片

Ⅰ 三极管是怎样击穿的

三极管的击穿是指三极管的PN结不能产生压降限制电流的现象。击穿时PN结的温度上升，如果还没有破坏PN结的结构，则造成击穿的条件去除后，PN结的功能能够得到恢复或部分恢复，就可认为不是硬击穿或称为软击穿。若温度上升太高，PN结的结构完全破坏，击穿的条件去除后，PN结的功能就不能得到恢复，这种击穿称为硬击穿。硬击穿的三极管不能正常工作，通常说烧坏了，需要更换。出现软击穿的三极管，性能也已经下降很多，一般也应该进行更换，但应急情况下还可暂时坚持工作，只是随时都可能变成硬击穿而完全不能工作。

软击穿。
最典型的例子就是稳压二极管。它就是工作在二极管反向击穿状态的，只要你设定的工作电流没有超过稳压二极管的允许工作电流，则稳压二极管就不会损坏。

Ⅱ 三极管为什么会被击穿

三极管击穿分为高压击穿和热击穿等，三极管PN结、CE之间正反向都有一定的耐压值，超过其耐压值，三极管被击穿（短路或断路）；三极管还有最高工作温度，当工作温度高于此值时，发生热击穿。

Ⅲ 如何用万能表辨别三极管是否被击穿或损坏

用万用表测三个电极(三只引脚)的正反电阻，任何两极电阻小于30欧可以断定三极管已击穿。

用指针式万用表测一般三极管，可将三极管看成两个“首首”相连或“尾尾”相连的二极管来看待，若“首”为正极“尾”为负极，则前者为PNP型，后者为NPN型。用两表笔分别接二极管两端，分别测得两个阻值，一个为几K至几十K,另一个应为无穷大。

电容被击穿则说明电容两极短路，用200Ω档测电阻，如果电阻始终是一个很小的值说明击穿。判断三极管好坏，直接用hfe档测，根据型号对应插入NPN或PNP管座，看hfe值，如果非常小说明内部有开路，如果超过量程，说明C-E间击穿。

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击穿时PN结的温度上升，如果还没有破坏PN结的结构，则造成击穿的条件去除后，PN结的功能能够得到恢复或部分恢复，就可认为不是硬击穿或称为软击穿。

软击穿时装备仍能带“病”工作，性能未发生根本变化，但随时可能造成再次失效。多次软击穿就能造成硬击穿，使电子装备运行不正常。

如果电容的质量不好，内部的电解质发生变化而产生的一种“电容击穿短路”现象，与温度的高低并无直接的关系。关机后电容失去外加电压，自然放电完毕后电解质可暂时复原，容量也可恢复正常。

Ⅳ 三极管怎么会被击穿

所加的工作电压超过了它的极限电压就会被击穿。

Ⅳ 这是电路图，为什么图1的8050三极管在通信的时候很容易被击穿呢

这么改。

Ⅵ 三极管击穿的原因

三极管中有两个不同半导体材料结合部形成的PN结，正常工作电压下，发射结工作在正向偏置，集电结工作在反向偏置，当集电结上的反向电压超过其能够承受的反向电压时，该电压就会将集电结形成的电子阻档层击穿，导致三极管损坏。还有一种击穿是流过集电结的电流过大，引起集电结发热，该反向击穿电压随温度升高耐压降低，形成工作过程中的击穿，这种通常称为热击穿。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。

Ⅶ 大侠帮忙分析一下这个电路的三极管什么情况下会被击穿

+=5V,C为电容，1K为电阻，三极管一般不会被击穿但这个电路Q1无负载不对导通时有可能电流击穿 ，这个电路延时时间 R*C

Ⅷ 三极管击穿了，有人给分析下，我有电路图

换高耐压，大电流的

Ⅸ 三极管损坏都有那几种情况

两种：软击穿、硬击穿。

1、三极管的软击穿

击穿时PN结的温度上升，如果还没有破坏PN结的结构，则造成击穿的条件去除后，PN结的功能能够得到恢复或部分恢复，就可认为不是硬击穿或称为软击穿。

2、三极管的硬击穿

若温度上升太高，PN结的结构完全破坏，击穿的条件去除后，PN结的功能就不能得到恢复，这种击穿称为硬击穿。

硬击穿是一次性造成器件的永久性失效，如器件的输出与输入开路或短路。硬击穿的三极管不能正常工作，通常说烧坏了，需要更换。

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放大原理：

1、发射区向基区发射电子

电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。

2、基区中电子的扩散与复合

电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。

3、集电区收集电子

由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。

Ⅹ 为什么基极电流过大，三极管会击穿

其一集电极最大允许电流ICM，使用晶体不得超过此电流值；其二集电极—发射极击穿电压BUceo，即基极开路时，加于集电极与发射极的最大允许电压。否则导致管子击穿。其三集电极最大允许耗散功率PM，由于集电极电流在集电极产生热量，使结温升高，超过这一功耗，晶体管可能损坏。

晶体三极管有两个pn结： 发射结和收集结； 分为3个区： 发射区、基区和集电区； 对应引出的3个电极分别称为发射极、基极和集电极； 基区在制作上要比其他两区薄得多，发射区的掺杂要比基区重得多。

在npn型晶体管工作时，发射极加正向偏置，使发射结势垒降低，发射区的电子源源不断地越过pn结注入基区，形成发射电流Ie，这个过程发射区电子的扩散运动起主导作用。

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影响击穿电压的因素主要有：

(1) 电极的形状 ，电极的曲率半径越小，击穿电压越低，越容易放电。

(2)电极的极性，棒状电极对平板电极放电时，当棒状电极带负电时，击穿较困难，击穿电压高，带正电时，击穿电压较低，容易发生击穿。

(3)气体的压强降低或温度升高时，由于电子动能变大，击穿电压降低，容易发生火花放电。

(4) 湿度增加可使击穿电压下降。

(5) 电压的作用时间很短时，击穿电压较高。击穿电压越低，越容易发生火花放电，越容易成为可燃物的点火源。