三極體怎麼被擊穿的圖片

Ⅰ 三極體是怎樣擊穿的

三極體的擊穿是指三極體的PN結不能產生壓降限制電流的現象。擊穿時PN結的溫度上升，如果還沒有破壞PN結的結構，則造成擊穿的條件去除後，PN結的功能能夠得到恢復或部分恢復，就可認為不是硬擊穿或稱為軟擊穿。若溫度上升太高，PN結的結構完全破壞，擊穿的條件去除後，PN結的功能就不能得到恢復，這種擊穿稱為硬擊穿。硬擊穿的三極體不能正常工作，通常說燒壞了，需要更換。出現軟擊穿的三極體，性能也已經下降很多，一般也應該進行更換，但應急情況下還可暫時堅持工作，只是隨時都可能變成硬擊穿而完全不能工作。

軟擊穿。
最典型的例子就是穩壓二極體。它就是工作在二極體反向擊穿狀態的，只要你設定的工作電流沒有超過穩壓二極體的允許工作電流，則穩壓二極體就不會損壞。

Ⅱ 三極體為什麼會被擊穿

三極體擊穿分為高壓擊穿和熱擊穿等，三極體PN結、CE之間正反向都有一定的耐壓值，超過其耐壓值，三極體被擊穿（短路或斷路）；三極體還有最高工作溫度，當工作溫度高於此值時，發生熱擊穿。

Ⅲ 如何用萬能表辨別三極體是否被擊穿或損壞

用萬用表測三個電極(三隻引腳)的正反電阻，任何兩極電阻小於30歐可以斷定三極體已擊穿。

用指針式萬用表測一般三極體，可將三極體看成兩個「首首」相連或「尾尾」相連的二極體來看待，若「首」為正極「尾」為負極，則前者為PNP型，後者為NPN型。用兩表筆分別接二極體兩端，分別測得兩個阻值，一個為幾K至幾十K,另一個應為無窮大。

電容被擊穿則說明電容兩極短路，用200Ω檔測電阻，如果電阻始終是一個很小的值說明擊穿。判斷三極體好壞，直接用hfe檔測，根據型號對應插入NPN或PNP管座，看hfe值，如果非常小說明內部有開路，如果超過量程，說明C-E間擊穿。

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擊穿時PN結的溫度上升，如果還沒有破壞PN結的結構，則造成擊穿的條件去除後，PN結的功能能夠得到恢復或部分恢復，就可認為不是硬擊穿或稱為軟擊穿。

軟擊穿時裝備仍能帶「病」工作，性能未發生根本變化，但隨時可能造成再次失效。多次軟擊穿就能造成硬擊穿，使電子裝備運行不正常。

如果電容的質量不好，內部的電解質發生變化而產生的一種「電容擊穿短路」現象，與溫度的高低並無直接的關系。關機後電容失去外加電壓，自然放電完畢後電解質可暫時復原，容量也可恢復正常。

Ⅳ 三極體怎麼會被擊穿

所加的工作電壓超過了它的極限電壓就會被擊穿。

Ⅳ 這是電路圖，為什麼圖1的8050三極體在通信的時候很容易被擊穿呢

這么改。

Ⅵ 三極體擊穿的原因

三極體中有兩個不同半導體材料結合部形成的PN結，正常工作電壓下，發射結工作在正向偏置，集電結工作在反向偏置，當集電結上的反向電壓超過其能夠承受的反向電壓時，該電壓就會將集電結形成的電子阻檔層擊穿，導致三極體損壞。還有一種擊穿是流過集電結的電流過大，引起集電結發熱，該反向擊穿電壓隨溫度升高耐壓降低，形成工作過程中的擊穿，這種通常稱為熱擊穿。
三極體，全稱應為半導體三極體，也稱雙極型晶體管、晶體三極體，是一種控制電流的半導體器件·其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關。

Ⅶ 大俠幫忙分析一下這個電路的三極體什麼情況下會被擊穿

+=5V,C為電容，1K為電阻，三極體一般不會被擊穿但這個電路Q1無負載不對導通時有可能電流擊穿 ，這個電路延時時間 R*C

Ⅷ 三極體擊穿了，有人給分析下，我有電路圖

換高耐壓，大電流的

Ⅸ 三極體損壞都有那幾種情況

兩種：軟擊穿、硬擊穿。

1、三極體的軟擊穿

擊穿時PN結的溫度上升，如果還沒有破壞PN結的結構，則造成擊穿的條件去除後，PN結的功能能夠得到恢復或部分恢復，就可認為不是硬擊穿或稱為軟擊穿。

2、三極體的硬擊穿

若溫度上升太高，PN結的結構完全破壞，擊穿的條件去除後，PN結的功能就不能得到恢復，這種擊穿稱為硬擊穿。

硬擊穿是一次性造成器件的永久性失效，如器件的輸出與輸入開路或短路。硬擊穿的三極體不能正常工作，通常說燒壞了，需要更換。

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放大原理：

1、發射區向基區發射電子

電源Ub經過電阻Rb加在發射結上，發射結正偏，發射區的多數載流子(自由電子）不斷地越過發射結進入基區，形成發射極電流Ie。同時基區多數載流子也向發射區擴散，但由於多數載流子濃度遠低於發射區載流子濃度，可以不考慮這個電流，因此可以認為發射結主要是電子流。

2、基區中電子的擴散與復合

電子進入基區後，先在靠近發射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子（因為基區很薄）與基區的空穴復合，擴散的電子流與復合電子流之比例決定了三極體的放大能力。

3、集電區收集電子

由於集電結外加反向電壓很大，這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區從而形成集電極主電流Icn。另外集電區的少數載流子（空穴）也會產生漂移運動，流向基區形成反向飽和電流，用Icbo來表示，其數值很小，但對溫度卻異常敏感。

Ⅹ 為什麼基極電流過大，三極體會擊穿

其一集電極最大允許電流ICM，使用晶體不得超過此電流值；其二集電極—發射極擊穿電壓BUceo，即基極開路時，加於集電極與發射極的最大允許電壓。否則導致管子擊穿。其三集電極最大允許耗散功率PM，由於集電極電流在集電極產生熱量，使結溫升高，超過這一功耗，晶體管可能損壞。

晶體三極體有兩個pn結： 發射結和收集結； 分為3個區： 發射區、基區和集電區； 對應引出的3個電極分別稱為發射極、基極和集電極； 基區在製作上要比其他兩區薄得多，發射區的摻雜要比基區重得多。

在npn型晶體管工作時，發射極加正向偏置，使發射結勢壘降低，發射區的電子源源不斷地越過pn結注入基區，形成發射電流Ie，這個過程發射區電子的擴散運動起主導作用。

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影響擊穿電壓的因素主要有：

(1) 電極的形狀 ，電極的曲率半徑越小，擊穿電壓越低，越容易放電。

(2)電極的極性，棒狀電極對平板電極放電時，當棒狀電極帶負電時，擊穿較困難，擊穿電壓高，帶正電時，擊穿電壓較低，容易發生擊穿。

(3)氣體的壓強降低或溫度升高時，由於電子動能變大，擊穿電壓降低，容易發生火花放電。

(4) 濕度增加可使擊穿電壓下降。

(5) 電壓的作用時間很短時，擊穿電壓較高。擊穿電壓越低，越容易發生火花放電，越容易成為可燃物的點火源。